1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 97000/89000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 97000/89000 IOps, DRAM-буфер