512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 330000/330000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 330000/330000 IOps, DRAM-буфер