512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2260, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2500/1100 МБайт/с, случайный доступ: 270000/130000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2260, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2500/1100 МБайт/с, случайный доступ: 270000/130000 IOps, DRAM-буфер