2016 г, Broadwell, сокет LGA2011-3, частота 3.3/2.4 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 120W
Характеристики
Общая информация
| |
Дата выхода на рынок | 2016 г. |
Технические характеристики
| |
Модельный ряд | Intel Xeon |
Тип поставки | OEM |
Охлаждение в комплекте | |
Кодовое название кристалла | Broadwell |
Сокет | LGA2011-3 |
Количество ядер | 14 |
Базовая тактовая частота | 2.4 ГГц |
Максимальная частота | 3.3 ГГц |
Кэш L3 | 35 МБ |
Тип поддерживаемой памяти | DDR4 |
Количество каналов памяти | 4 |
Макс. частота памяти без разгона | 2 400 МГц |
Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 3.0 |
Конфигурация контроллера PCIe | PCI Express 3.0 x16 |
Встроенная графика | |
Базовая расчетная тепловая мощность (TDP) | 120 Вт |
Техпроцесс | 14 нм |
Многопоточность ядра | |
ИИ-ускоритель (NPU) | |
Виртуализация Intel VT-x | |
Виртуализация Intel VT-d | |
Защищенная платформа Intel TXT |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.