2016 г, Broadwell E, LGA2011-3, частота 4/3.2 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм
Характеристики
Общая информация
|
|
Дата выхода на рынок | 2016 г. |
Технические характеристики
|
|
Модельный ряд
Модельный ряд Модельный ряд, к которому относится процессор. |
Core i7 |
Тип поставки
Тип поставки
OEM - процессор в заводской технологической упаковке, без кулера |
BOX |
Охлаждение в комплекте
Охлаждение в комплекте Наличие в комплекте системы охлаждения, чаще всего кулера. |
|
Кодовое название кристалла
Кодовое название кристалла При разработке кристалла процессора ему дают кодовое название. В дальнейшем, когда процессор поступает в продажу, ему присваивают торговое название. Из-за того, что между двумя названиями не всегда соблюдается полное соответствие, по торговому названию в общем случае нельзя судить о технических характеристиках процессора. |
Broadwell E |
Сокет
Сокет Гнездо (разъём) для установки центрального процессора на материнской плате. |
LGA2011-3 |
Количество ядер
Количество ядер Количество физических ядер процессора. |
8 |
Базовая тактовая частота
Базовая тактовая частота
Базовая частота процессора — это скорость открытия/закрытия транзисторов процессора. Измеряется в гигагерцах (ГГц). |
3.2 ГГц |
Максимальная частота
Максимальная частота Многоядерные процессоры поддерживают динамическое увеличение частоты в зависимости от нагрузки в рамках конкретного теплового пакета. Это значит, что если для работы программы требуется только одно или два ядра, когда у вашего CPU их четыре и более, то за счет того, что процессор будет нагружен только частично, увеличивается частота рабочих ядер до определенного порога энергопотребления, которое равно энергопотреблению при полной загрузке всех ядер. За счет этого можно существенно повысить производительность, например, в программах с ограниченной поддержкой многопоточности. |
4 ГГц |
Кэш L3
Кэш L3 Это промежуточный буфер с быстрым доступом, хранящий в себе информацию, которая с наибольшей вероятностью может быть запрошена. Для многоядерных процессоров указывается суммарный объём кэш-памяти. |
20 МБ |
Поддержка памяти
Поддержка памяти Существует несколько поколений стандартов модулей оперативной памяти, поддерживаемых процессорами. Модули разных стандартов не совместимы между собой. Как правило, с каждым новым поколением увеличивается пропускная способность и снижается энергопотребление. |
DDR4 |
Количество каналов памяти
Количество каналов памяти Показывает режимы параллельной работы оперативной памяти. Например, процессор поддерживающий 2 канала памяти поддерживает параллельную работу двух планок памяти с одинаковым объемом. Двухканальный режим памяти существенно увеличивает скорость работы операционной системы. |
4 |
Макс. частота памяти без разгона
Макс. частота памяти без разгона Максимальная (без профилей Intel XMP или AMD EXPO) тактовая частота памяти, которую официально поддерживает встроенный в процессор контроллер памяти. |
2 400 МГц |
Встроенный контроллер PCI Express
Встроенный контроллер PCI Express
Интерфейс для подключения к ПК дополнительных комплектующих, например, видеокарты или SSD.. |
PCI Express 3.0 |
Конфигурация контроллера PCIe | PCI Express 3.0 x16 |
Встроенная графика
Встроенная графика
Графическое ядро, встроенное в процессор. Использует часть оперативной памяти. |
|
Макс. расчетная тепловая мощность (TDP)
Макс. расчетная тепловая мощность (TDP) TDP (Thermal Design Power) — величина, показывающая количество тепла, которое должна рассеивать система охлаждения чипа. |
140 Вт |
Техпроцесс
Техпроцесс Технологический процесс полупроводникового производства – технологический процесс изготовления полупроводниковых (п/п) изделий и материалов; состоит из последовательности технологических (обработка, сборка) и контрольных операций, часть производственного процесса производства п/п изделий (транзисторов, диодов и т. п.). При производстве п/п интегральных микросхем применяется фотолитография и литографическое оборудование. Разрешающая способность (в мкм и нм) этого оборудования (т. н. проектные нормы) и определяет название применяемого конкретного технологического процесса. |
14 нм |
Многопоточность ядра
Многопоточность ядра Технология многопоточности разработана для повышения производительности системы в специально оптимизированных приложениях. Она обеспечивает работу двух виртуальных процессоров на одном реальном ядре. Достигается это за счет максимально полной загрузки всех вычислительных ресурсов и организации обслуживания двух независимых потоков команд. |
|
Виртуализация Intel VT-x
Виртуализация Intel VT-x Технология Intel VT-x обеспечивает ускорение виртуальных машин за счет аппаратной поддержки нескольких виртуальных доменов на одном реальном массиве процессорных ядер. |
|
Виртуализация Intel VT-d
Виртуализация Intel VT-d Технология Intel VT-d обеспечивает виртуализацию всей подсистемы ввода-вывода, находящейся в составе и за пределами вычислительного ядра системы. В частности, виртуализации подлежат контроллеры памяти, встроенная графика, контроллеры внутренних шин. Аппаратная виртуализация ввода-вывода существенно ускоряет работу виртуальных машин. |
|
Защищенная платформа Intel TXT
Защищенная платформа Intel TXT Технология Intel TXT обеспечивает средства для построения безопасных вычислительных платформ. Суть технологии заключается в предоставлении надежных средств контроля подлинности выполняемых приложений и защиту их среды от проникновения вредоносных программ. |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.