2013 г, Haswell, сокет LGA1150, частота 3.9/3.5 ГГц, кэш 1 МБ + 8 МБ, техпроцесс 22 нм, поддержка DDR3
Характеристики
Общая информация
| |
| Дата выхода на рынок | 2013 г. (Q2) |
Технические характеристики
| |
|
Модельный ряд
| Intel Xeon |
|
Кодовое название кристалла
| Haswell |
|
Сокет
| LGA1150 |
|
Количество ядер
| 4 |
|
Базовая тактовая частота
| 3.5 ГГц |
|
Максимальная частота
| 3.9 ГГц |
|
Кэш L2
| 1 МБ (4 x 256 КБ) |
|
Кэш L3
| 8 МБ |
|
Тип поддерживаемой памяти
| DDR3 |
|
Количество каналов памяти
| 2 |
|
Встроенный контроллер PCI Express
| PCI Express 3.0 |
| Конфигурация контроллера PCIe | PCI Express 3.0 x16/x8+x8/x8+x4+x4 |
|
Встроенная графика
| |
|
Макс. расчетная тепловая мощность (TDP)
| 80 Вт |
|
Техпроцесс
| 22 нм |
|
Многопоточность ядра
| |
|
Виртуализация Intel VT-x
| |
|
Виртуализация Intel VT-d
| |
|
Защищенная платформа Intel TXT
| |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.