2007 г, Harpertown, LGA771, частота 3 ГГц, кэш 12 МБ + , техпроцесс 45 нм
Характеристики
Общая информация
|
|
Дата выхода на рынок | 2007 г. (Q4) |
Технические характеристики
|
|
Модельный ряд
Модельный ряд Модельный ряд, к которому относится процессор. |
Xeon |
Кодовое название кристалла
Кодовое название кристалла При разработке кристалла процессора ему дают кодовое название. В дальнейшем, когда процессор поступает в продажу, ему присваивают торговое название. Из-за того, что между двумя названиями не всегда соблюдается полное соответствие, по торговому названию в общем случае нельзя судить о технических характеристиках процессора. |
Harpertown |
Сокет
Сокет Гнездо (разъём) для установки центрального процессора на материнской плате. |
LGA771 |
Количество ядер
Количество ядер Количество физических ядер процессора. |
4 |
Базовая тактовая частота
Базовая тактовая частота
Базовая частота процессора — это скорость открытия/закрытия транзисторов процессора. Измеряется в гигагерцах (ГГц). |
3 ГГц |
Кэш L2
Кэш L2 Это промежуточный буфер с быстрым доступом, который хранит в себе информацию, которая с наибольшей вероятностью может быть запрошена. Для многоядерных процессоров указывается суммарный объём кэш-памяти. |
12 МБ (2 x 6 Мб) |
Встроенный контроллер PCI Express
Встроенный контроллер PCI Express
Интерфейс для подключения к ПК дополнительных комплектующих, например, видеокарты или SSD.. |
|
Встроенная графика
Встроенная графика
Графическое ядро, встроенное в процессор. Использует часть оперативной памяти. |
|
Макс. расчетная тепловая мощность (TDP)
Макс. расчетная тепловая мощность (TDP) TDP (Thermal Design Power) — величина, показывающая количество тепла, которое должна рассеивать система охлаждения чипа. |
80 Вт |
Техпроцесс
Техпроцесс Технологический процесс полупроводникового производства – технологический процесс изготовления полупроводниковых (п/п) изделий и материалов; состоит из последовательности технологических (обработка, сборка) и контрольных операций, часть производственного процесса производства п/п изделий (транзисторов, диодов и т. п.). При производстве п/п интегральных микросхем применяется фотолитография и литографическое оборудование. Разрешающая способность (в мкм и нм) этого оборудования (т. н. проектные нормы) и определяет название применяемого конкретного технологического процесса. |
45 нм |
Многопоточность ядра
Многопоточность ядра Технология многопоточности разработана для повышения производительности системы в специально оптимизированных приложениях. Она обеспечивает работу двух виртуальных процессоров на одном реальном ядре. Достигается это за счет максимально полной загрузки всех вычислительных ресурсов и организации обслуживания двух независимых потоков команд. |
|
Виртуализация Intel VT-x
Виртуализация Intel VT-x Технология Intel VT-x обеспечивает ускорение виртуальных машин за счет аппаратной поддержки нескольких виртуальных доменов на одном реальном массиве процессорных ядер. |
|
Защищенная платформа Intel TXT
Защищенная платформа Intel TXT Технология Intel TXT обеспечивает средства для построения безопасных вычислительных платформ. Суть технологии заключается в предоставлении надежных средств контроля подлинности выполняемых приложений и защиту их среды от проникновения вредоносных программ. |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.