8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Характеристики
Основные
|
|
Набор
Набор Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности. |
1 модуль |
Общий объем
Общий объем Общий объем памяти. Суммируется объем каждого модуля, если их несколько |
8 ГБ |
Тип
Тип
Существует несколько форм-факторов оперативной памяти: |
DDR4 DIMM |
Частота
Частота Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла. |
2400 МГц |
PC-индекс
PC-индекс Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC4 - DDR4, PC5 - DDR5), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. |
PC4-19200 |
CAS Latency
CAS Latency Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла. |
17T |
Тайминги
Тайминги
Таймингами обычно называют сокращенное обозначение наиболее важных задержек доступа к ячейкам памяти. Сокращенная запись может состоять из 3, 4 или 5 значений, разделенных знаком "-". |
17-17-17 |
Напряжение питания
Напряжение питания Для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работала стабильно и не вышла из строя. |
1.2 В |
Технические характеристики
|
|
Число микросхем
Число микросхем При равном объеме предпочтительнее приобретать модуль памяти на меньшем числе микросхем, так как при этом организация (см. Количество банков) и энергопотребление модуля будет лучше. |
16 |
Ёмкость микросхем
Ёмкость микросхем Чем выше ёмкость микросхем, тем новее технология, по которой они изготовлены, и тем лучше параметры модуля DIMM (см. Число микросхем). |
8 Гбит |
Тип микросхем
Тип микросхем Микросхемы памяти DRAM могут иметь различную организацию, например, иметь шину данных шириной 4, 8 или 16 бит. От организации микросхем зависит, какое их количество требуется для получения нужной суммарной ёмкости модуля DIMM. |
1Gx8 |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.