Набор

Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности.

Общий объем

Общий объем памяти. Суммируется объем каждого модуля, если их несколько

Тип

Существует несколько форм-факторов оперативной памяти:
- DIMM - полноразмерные модули памяти для ПК;
- SO-DIMM - в основном предназначены для ноутбуков.

Также ОЗУ делится на поколения. Наиболее новой версией является DDR5, но из за ее высокой стоимости, DDR4 еще долго будет оставаться актуальной.
Стоит отметить, что версии оперативной памяти несовместимы друг с другом.

ECC

Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.
Память с коррекцией ошибок используется в большинстве компьютеров, для которых важна бесперебойная работа, в том числе в большинстве серверов. Для работы памяти в режиме коррекции ошибок требуется поддержка со стороны контроллера оперативной памяти, который может быть составной частью чипсета.

Частота

Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

PC-индекс

Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC4 - DDR4, PC5 - DDR5), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с.

CAS Latency

Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла.

Напряжение питания

Для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работала стабильно и не вышла из строя.

Расположение чипов

Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонним и односторонним расположением. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы.

Число микросхем

При равном объеме предпочтительнее приобретать модуль памяти на меньшем числе микросхем, так как при этом организация (см. Количество банков) и энергопотребление модуля будет лучше.

Ёмкость микросхем

Чем выше ёмкость микросхем, тем новее технология, по которой они изготовлены, и тем лучше параметры модуля DIMM (см. Число микросхем).

Тип микросхем

Микросхемы памяти DRAM могут иметь различную организацию, например, иметь шину данных шириной 4, 8 или 16 бит. От организации микросхем зависит, какое их количество требуется для получения нужной суммарной ёмкости модуля DIMM.