4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
Трансенд Информэйшн ИНК. США, 1645 Норс-Брайан стрит Орандж, Калифорния 92867.
Подробную информацию о продавцах и ценах с оплатой частями смотрите на странице предложений продавцов с учетом условий доставки
письмо на почту и
Характеристики
Основные | |
| Набор | 1 модуль |
| Общий объем | 4 ГБ |
| Тип | DDR3 SO-DIMM |
| ECC | |
| Частота | 1600 МГц |
| PC-индекс | PC3-12800 |
| CAS Latency | 11T |
| Тайминги | 11-11-11 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Технические характеристики | |
| Расположение чипов | двустороннее |
| Число микросхем | 16 |
| Ёмкость микросхем | 2 Гбит |
| Тип микросхем | 256Mx8 |
| Профили Intel XMP | |
Конструкция | |
| Охлаждение | |
| Низкопрофильный модуль | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.