256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x2 (NVMe 1.2), контроллер Realtek RTS5760, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1000/800 МБайт/с, случайный доступ: 100000/110000 IOps
Характеристики
Общая информация
| |
Дата выхода на рынок | 2017 г. |
Основные
| |
Объём
| 256 ГБ |
Форм-фактор
| M.2 (2280) |
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x2 (NVMe 1.2) |
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
Контроллер
| Realtek RTS5760 |
Размеры устройств M.2
| 2280 |
Ресурс записи
| 150 TBW |
Технические характеристики
| |
Аппаратное шифрование
| |
Скорость последовательного чтения
| 1 000 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи
| 800 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения
| 100 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи
| 110 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись)
| 0.33 Вт |
Энергопотребление (ожидание)
| 0.14 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF)
| 2 000 000 ч |
Толщина
| 3.5 мм |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.