512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 1900/1100 МБайт/с, случайный доступ: 140000/150000 IOps
Владелец торговой марки
✕
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2016 г. |
Основные | |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
| Контроллер | |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
| Скорость последовательного чтения | 1 900 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 100 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 140 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 150 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 0.33 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.14 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Охлаждение | |
Заметили неточность в описании?
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.