1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 МБайт/с, случайный доступ: 95000/290000 IOps
Характеристики
Общая информация
| |
| Дата выхода на рынок | 2023 г. |
Описание
Развитие творческих способностей | |
Основные
| |
|
Объём
| 1 ТБ |
|
Форм-фактор
| M.2 |
|
Интерфейс
| PCI Express 4.0 x4 |
| Версия NVMe | 1.4 |
|
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
|
Размеры устройств M.2
| 2280 |
|
Ресурс записи
| 600 TBW |
Технические характеристики
| |
|
DRAM-буфер
| |
|
Аппаратное шифрование
| |
|
Скорость последовательного чтения
| 3 500 Мбайт/с |
|
Скорость последовательной записи
| 2 200 Мбайт/с |
|
Средняя скорость случайного чтения
| 95 000 IOps |
|
Средняя скорость случайной записи
| 290 000 IOps |
|
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 500 000 ч |
|
Толщина
| 3.13 мм |
|
Охлаждение
| |
| Тип охлаждения | пластина |
| Подсветка | |
|
Совместимость с PS5
| |
Комплектация
| |
|
Тип поставки
| RTL (Retail) |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.