512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps
Характеристики
Общая информация
| |
| Дата выхода на рынок | 2021 г. |
Основные
| |
|
Объём
| 512 ГБ |
|
Форм-фактор
| M.2 |
|
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x4 |
|
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND (NVMe 1.3) |
|
Размеры устройств M.2
| 2280 |
|
Ресурс записи
| 350 TBW |
Технические характеристики
| |
|
Аппаратное шифрование
| |
|
Скорость последовательного чтения
| 3 500 Мбайт/с |
|
Скорость последовательной записи
| 2 300 Мбайт/с |
|
Средняя скорость случайного чтения
| 400 000 IOps |
|
Средняя скорость случайной записи
| 600 000 IOps |
|
Энергопотребление (чтение/запись)
| 4.118 Вт |
|
Энергопотребление (ожидание)
| 0.07 Вт |
|
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 800 000 ч |
|
Толщина
| 3.75 мм |
|
Охлаждение
| |
| Тип охлаждения | пластина |
| Подсветка | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.