480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3480/2000 МБайт/с, случайный доступ: 440000/360000 IOps, DRAM-буфер
Характеристики
Общая информация
| |
Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные
| |
Объём
| 480 ГБ |
Форм-фактор
| M.2 |
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
Контроллер
| Phison PS5012-E12 |
Размеры устройств M.2
| 2280 |
Ресурс записи
| 800 TBW |
Технические характеристики
| |
DRAM-буфер
| |
Объем DRAM-буфера | 512 МБ |
Аппаратное шифрование
| AES 256bit |
Скорость последовательного чтения
| 3 480 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи
| 2 000 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения
| 440 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи
| 360 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись)
| 6.7 Вт |
Энергопотребление (ожидание)
| 4.8 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 800 000 ч |
Толщина
| 3 мм |
Охлаждение
| |
Подсветка |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.