1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2000/1700 МБайт/с, случайный доступ: 170000/240000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2000/1700 МБайт/с, случайный доступ: 170000/240000 IOps, DRAM-буфер