4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
Микрон Технолоджи, ИНК. 142 Интерпрайз Др, Грэтна, Лос-Анджелес 70056, США.
Подробную информацию о продавцах и ценах с оплатой частями смотрите на странице предложений продавцов с учетом условий доставки
письмо на почту и
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2023 г. |
Описание ❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта. | |
Основные | |
| Объём | 4 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x4 |
| Версия NVMe | 2.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 2400 TBW |
Технические характеристики | |
| DRAM-буфер | |
| Аппаратное шифрование | |
| Скорость последовательного чтения | 12 400 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 11 800 Мбайт/с |
| Охлаждение | |
| Тип охлаждения | радиатор |
| Подсветка | |
Комплектация | |
| Тип поставки | RTL (в коробке) |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.