500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1900/950 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps, DRAM-буфер
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1900/950 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps, DRAM-буфер