1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 360000/280000 IOps
Мы каждый день анализируем цены и помечаем все выгодные предложения за последние 60 дней
Мы каждый день анализируем цены и помечаем все выгодные предложения за последние 60 дней
Характеристики
Основные
| |
Объём | 1 ТБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 512 TBW |
Технические характеристики
| |
Аппаратное шифрование | |
Скорость последовательного чтения | 3 400 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 3 000 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 360 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 280 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 4.1 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.611 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Толщина | 4.8 мм |
Охлаждение | |
Тип охлаждения | радиатор |
Подсветка | |
Совместимость с PS5 |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.