512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2600 МБайт/с, случайный доступ: 350000/302000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2600 МБайт/с, случайный доступ: 350000/302000 IOps