Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD Hiksemi Future 1TB HS-SSD-FUTURE 1024G

Hiksemi Future 1TB HS-SSD-FUTURE 1024G
Нет отзывов Оставить отзыв

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6600 МБайт/с, случайный доступ: 860000/670000 IOps, совместимость с PS5

Владелец торговой марки
Объём:
Все варианты:
Hiksemi Future 1TB HS-SSD-FUTURE 1024G

Характеристики

Общая информация

Описание

❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта.

✅ Совместимость с PS5: да! Этот SSD идеально подходит для расширения памяти вашей игровой консоли, обеспечивая быстрый доступ к играм и приложениям.

✅ Форм-фактор M.2 2280 делает установку SSD простой и удобной. Вы сможете легко интегрировать его в ваше устройство, не тратя много времени на установку.

✅ Объём в 1 ТБ предоставляет достаточно места для хранения ваших любимых игр, мультимедиа и других файлов. Больше не нужно беспокоиться о нехватке памяти!

✅ Высокая скорость случайной записи в 670 000 IOps и скорость последовательной записи до 6 600 Мбайт/с обеспечивают мгновенный доступ к данным и быструю загрузку игр.

✅ Эффективное охлаждение с помощью специальной пластины гарантирует стабильную работу SSD даже при высоких нагрузках. Это особенно важно для геймеров, которые требуют максимальной производительности.

⚠️ Обратите внимание на аппаратное шифрование AES 256bit, которое обеспечивает дополнительную защиту ваших данных. Это важный аспект для тех, кто ценит безопасность информации.

✅ Интерфейс PCI Express 4.0 x4 (NVMe) обеспечивает невероятные скорости передачи данных, что делает этот SSD отличным выбором для современных устройств.

✅ Использование 3D TLC NAND микросхем гарантирует долговечность и надежность хранения данных, что делает SSD Hiksemi Future 1TB HS-SSD-FUTURE 1024G отличным выбором для любых задач.

Основные

Объём 1 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 1800 TBW

Технические характеристики

DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 450 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 600 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 860 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 670 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 3.92 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Охлаждение
Тип охлаждения пластина
Подсветка
Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (в коробке)
Заметили неточность в описании?
Очистить список сравнения