Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD Hiksemi Wave(P) 512GB HS-SSD-WAVE(P) 512G

Hiksemi Wave(P) 512GB HS-SSD-WAVE(P) 512G
Нет отзывов Оставить отзыв

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2500/1025 МБайт/с, случайный доступ: 55000/225000 IOps

Владелец торговой марки
Объём:
Все варианты:
Hiksemi Wave(P) 512GB HS-SSD-WAVE(P) 512G

Характеристики

Общая информация

Описание

❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта.

✅ Скорость последовательного чтения SSD Hiksemi Wave(P) 512GB достигает впечатляющих 2 500 Мбайт/с, что обеспечивает мгновенный доступ к вашим данным и быструю загрузку приложений. Этот накопитель станет отличным выбором для геймеров и профессионалов, которым важна высокая производительность.

✅ Средняя скорость случайного чтения составляет 55 000 IOps, что позволяет эффективно обрабатывать множество мелких файлов одновременно. Вы сможете наслаждаться плавной работой системы и быстрой реакцией приложений.

✅ Интерфейс PCI Express 3.0 x4 (NVMe) гарантирует максимальную пропускную способность, а тип охлаждения с использованием пластины помогает поддерживать оптимальную температуру устройства даже при интенсивных нагрузках.

✅ Средняя скорость случайной записи достигает 225 000 IOps, что делает SSD идеальным для работы с большими объемами данных и многозадачности. Вы сможете без проблем выполнять несколько операций одновременно.

✅ С максимальным временем наработки на отказ (МТBF) в 1 500 000 часов, этот SSD обеспечивает надежность и долговечность, что важно для хранения ваших ценных данных.

⚠️ Обратите внимание на скорость последовательной записи, которая составляет 1 025 Мбайт/с. Это также важный параметр, особенно если вы работаете с большими файлами или выполняете резервное копирование данных.

✅ Форм-фактор M.2 2280 и розничная упаковка делают установку SSD простой и удобной. Вы сможете легко интегрировать его в свою систему и наслаждаться всеми преимуществами высокоскоростного хранения.

Основные

Объём 512 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Размеры устройств M.2 2280

Технические характеристики

DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения 2 500 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 1 025 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 55 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 225 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 2.2 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Охлаждение
Тип охлаждения пластина
Подсветка
Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (в коробке)
Заметили неточность в описании?
Очистить список сравнения