512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2465/2410 МБайт/с, случайный доступ: 220000/380000 IOps
Мы каждый день анализируем цены и помечаем все выгодные предложения за последние 60 дней
Характеристики
Основные
| |
|
Объём
| 512 ГБ |
|
Форм-фактор
| M.2 |
|
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x4 |
|
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
|
Размеры устройств M.2
| 2280 |
|
Ресурс записи
| 365 TBW |
Технические характеристики
| |
|
DRAM-буфер
| |
|
Аппаратное шифрование
| |
|
Скорость последовательного чтения
| 2 465 Мбайт/с |
|
Скорость последовательной записи
| 2 410 Мбайт/с |
|
Средняя скорость случайного чтения
| 220 000 IOps |
|
Средняя скорость случайной записи
| 380 000 IOps |
|
Энергопотребление (чтение/запись)
| 2.6 Вт |
|
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 500 000 ч |
|
Охлаждение
| |
| Подсветка | |
|
Совместимость с PS5
| |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.