512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3230/1625 МБайт/с, случайный доступ: 340000/275000 IOps, DRAM-буфер
Интел Корпорейшн. 2200 Мишн Колледж, Бульвар Санта Клара, Калифорния 95054, США.
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные | |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND (64-слойная) |
| Контроллер | Silicon Motion SM2262 |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 288 TBW |
Технические характеристики | |
| DRAM-буфер | |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 3 230 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 625 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 340 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 275 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 0.05 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.025 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 600 000 ч |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
Комплектация | |
| Тип поставки | OEM/Bulk (без коробки) |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.