1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2500 МБайт/с
Интел Корпорейшн. 2200 Мишн Колледж, Бульвар Санта Клара, Калифорния 95054, США.
письмо на почту и
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2021 г. |
Основные | |
| Объём | 1 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 370 TBW |
Технические характеристики | |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 3 500 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2 500 Мбайт/с |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 0.8 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.25 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 600 000 ч |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.