512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
Характеристики
Общая информация
| |
| Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные
| |
|
Объём
| 512 ГБ |
|
Форм-фактор
| M.2 |
|
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x4 |
|
Тип микросхем Flash
| 3D QLC NAND |
|
Контроллер
| Silicon Motion SM2263 |
|
Размеры устройств M.2
| 2280 |
|
Ресурс записи
| 100 TBW |
Технические характеристики
| |
|
Аппаратное шифрование
| AES 256bit |
|
Скорость последовательного чтения
| 1 500 Мбайт/с |
|
Скорость последовательной записи
| 1 000 Мбайт/с |
|
Средняя скорость случайного чтения
| 90 000 IOps |
|
Средняя скорость случайной записи
| 220 000 IOps |
|
Энергопотребление (чтение/запись)
| 4 Вт |
|
Энергопотребление (ожидание)
| 0.04 Вт |
|
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 600 000 ч |
|
Толщина
| 2.38 мм |
|
Охлаждение
| |
| Подсветка | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.