1 ТБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1950/1000 МБайт/с, случайный доступ: 295000/31000 IOps
Характеристики
Общая информация
| |
| Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные
| |
| Объём | 1 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 22110 |
| Ресурс записи | 980 TBW |
Технические характеристики
| |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 1 950 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 000 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 295 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 31 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 7.6 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 3.5 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.