Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD MSI Spatium M450 V1 500GB S78-440K380-P83

MSI Spatium M450 V1 500GB S78-440K380-P83
Нет отзывов Оставить отзыв

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/2000 МБайт/с, случайный доступ: 370000/380000 IOps

Владелец торговой марки
Объём:
1 ТБ
Все варианты:
MSI Spatium M450 V1 500GB S78-440K380-P83

Характеристики

Общая информация

Дата выхода на рынок 2022 г.
Описание

❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта.

✅ SSD MSI Spatium M450 V1 на 500 ГБ — это идеальное решение для тех, кто ищет высокую производительность и надежность. Благодаря интерфейсу PCI Express 4.0 x4, вы сможете наслаждаться молниеносной скоростью передачи данных, что делает его отличным выбором для геймеров и профессионалов.

✅ С последовательной скоростью чтения до 3000 Мбайт/с и записи до 2000 Мбайт/с, этот SSD обеспечит мгновенную загрузку операционной системы и приложений. Вы забудете о долгих ожиданиях и сможете сосредоточиться на своих задачах.

✅ Средняя скорость случайного чтения достигает 370 000 IOps, а запись — 380 000 IOps, что делает MSI Spatium M450 V1 отличным вариантом для работы с большими объемами данных и многозадачности. Этот SSD справится с любыми вызовами, которые вы ему поставите.

✅ Использование 3D TLC NAND микросхем гарантирует долговечность и надежность устройства. С ресурсом записи в 150 TBW и временем наработки на отказ (MTBF) в 1 500 000 часов, вы можете быть уверены в его стабильной работе на протяжении долгого времени.

⚠️ Не забывайте, что правильный выбор SSD может значительно улучшить производительность вашего компьютера. MSI Spatium M450 V1 — это не просто накопитель, а ваш надежный помощник в мире технологий.

Основные

Объём 500 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe 1.4
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Phison PS5019-E19T
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 150 TBW

Технические характеристики

DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения 3 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 2 000 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 370 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 380 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 3.7 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.15 мм
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (в коробке)
Заметили неточность в описании?
Очистить список сравнения