512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe™ Express), контроллер Innogrit Rainier, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/4000 МБайт/с, случайный доступ: 650000/530000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe™ Express), контроллер Innogrit Rainier, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/4000 МБайт/с, случайный доступ: 650000/530000 IOps, DRAM-буфер