1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MEX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, DRAM-буфер
Характеристики
Основные
| |
|
Объём
| 1 ТБ |
|
Форм-фактор
| 2.5" |
|
Интерфейс
| SATA 3.0 |
|
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
|
Контроллер
| Samsung MEX |
Технические характеристики
| |
|
DRAM-буфер
| |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
|
Аппаратное шифрование
| AES 256bit |
|
Скорость последовательного чтения
| 540 Мбайт/с |
|
Скорость последовательной записи
| 520 Мбайт/с |
|
Энергопотребление (чтение/запись)
| 4.4 Вт |
|
Энергопотребление (ожидание)
| 0.004 Вт |
|
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 500 000 ч |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.