4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 100000/90000 IOps
Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея.
письмо на почту и
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные | |
| Объём | 4 ТБ |
| Форм-фактор | 2.5" |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
| Контроллер | Samsung MJX |
| Ресурс записи | 4800 TBW |
Технические характеристики | |
| DRAM-буфер | |
| Объем DRAM-буфера | 4096 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 560 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 530 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 100 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 90 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2.2 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Толщина | 6.8 мм |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
Комплектация | |
| Тип поставки | RTL (в коробке) |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.