4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 97000/89000 IOps
Характеристики
Общая информация
| |
| Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные
| |
|
Объём
| 4 ТБ |
|
Форм-фактор
| 2.5" |
|
Интерфейс
| SATA 3.0 |
|
Тип микросхем Flash
| 3D QLC NAND |
|
Контроллер
| Samsung MJX |
Технические характеристики
| |
|
DRAM-буфер
| |
| Объем DRAM-буфера | 4096 МБ |
|
Аппаратное шифрование
| AES 256bit |
|
Скорость последовательного чтения
| 550 Мбайт/с |
|
Скорость последовательной записи
| 520 Мбайт/с |
|
Средняя скорость случайного чтения
| 97 000 IOps |
|
Средняя скорость случайной записи
| 89 000 IOps |
|
Энергопотребление (чтение/запись)
| 3.1 Вт |
|
Энергопотребление (ожидание)
| 0.03 Вт |
|
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 500 000 ч |
|
Толщина
| 6.8 мм |
|
Охлаждение
| |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.