120 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 МБайт/с, случайный доступ: 97000/89000 IOps, DRAM-буфер
Владелец торговой марки
Все варианты:
Samsung 850 EVO M.2 120GB (MZ-N5E120BW)
✕
Характеристики
Основные | |
| Объём | 120 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung MGX |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
| DRAM-буфер | |
| Объем DRAM-буфера | 512 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 540 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 500 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 97 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 89 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 3.3 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Толщина | 2.38 мм |
Заметили неточность в описании?
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.