250 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 97000/88000 IOps, DRAM-буфер
250 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 97000/88000 IOps, DRAM-буфер