256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung UBX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2200/900 МБайт/с, случайный доступ: 270000/85000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung UBX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2200/900 МБайт/с, случайный доступ: 270000/85000 IOps