512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung UBX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2500/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/110000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung UBX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2500/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/110000 IOps