250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1500 МБайт/с, случайный доступ: 330000/300000 IOps
Характеристики
Основные
| |
Объём
| 250 ГБ |
Форм-фактор
| M.2 |
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем Flash
| 3D TLC NAND |
Контроллер
| Samsung Polaris |
Размеры устройств M.2
| 2280 |
Технические характеристики
| |
Аппаратное шифрование
| AES 256bit |
Скорость последовательного чтения
| 3 200 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи
| 1 500 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения
| 330 000 IOps (4KB, QD32) |
Средняя скорость случайной записи
| 300 000 IOps (4KB, QD32) |
Энергопотребление (чтение/запись)
| 5.4 Вт |
Энергопотребление (ожидание)
| 0.04 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 500 000 ч |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.