500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1800 МБайт/с, случайный доступ: 330000/330000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1800 МБайт/с, случайный доступ: 330000/330000 IOps