512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 330000/330000 IOps, DRAM-буфер
Характеристики
Общая информация
| |
Дата выхода на рынок | 2016 г. |
Основные
| |
Объём
| 512 ГБ |
Форм-фактор
| M.2 |
Интерфейс
| PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2) |
Тип микросхем Flash
| 3D MLC NAND |
Контроллер
| Samsung Polaris |
Размеры устройств M.2
| 2280 |
Технические характеристики
| |
DRAM-буфер
| |
Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
Аппаратное шифрование
| AES 256bit |
Скорость последовательного чтения
| 3 500 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи
| 2 100 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения
| 330 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи
| 330 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись)
| 5.3 Вт |
Энергопотребление (ожидание)
| 1.2 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF)
| 1 500 000 ч |
Толщина
| 2.38 мм |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.