512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 330000/330000 IOps, DRAM-буфер
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2016 г. |
Основные | |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2) |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
| Контроллер | Samsung Polaris |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
| DRAM-буфер | |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 3 500 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2 100 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 330 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 330 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.3 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 1.2 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Толщина | 2.38 мм |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.