512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 370000/500000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 370000/500000 IOps, DRAM-буфер