2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
Характеристики
Общая информация
| |
Дата выхода на рынок | 2020 г. |
Основные
| |
Объём | 2 ТБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Контроллер | Samsung Elpis |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 1200 TBW |
Технические характеристики
| |
DRAM-буфер | |
Объем DRAM-буфера | 2048 МБ |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 7 000 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 5 100 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 1 000 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 1 000 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 6.1 Вт (режим Burst 7.2 Вт) |
Энергопотребление (ожидание) | 0.035 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Толщина | 2.38 мм |
Охлаждение | |
Подсветка | |
Совместимость с PS5 |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.