Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW

Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW
Нет отзывов Оставить отзыв

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2, контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/800000 IOps

Владелец торговой марки
Объём:
2 ТБ
Все варианты:
Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW

Характеристики

Общая информация
Дата выхода на рынок 2024 г.
Описание

❗️Текст описания переведен при помощи искусственного интеллекта.

✅ Оставайтесь на пике своей игры
Скорость последовательного чтения/записи до 5,000/4,200 МБ/с и случайного чтения/записи до 680К/800К IOPS - на 43% быстрее, чем у 970 EVO Plus 2TB. Ждите меньше для игр и быстрый доступ к большим файлам.

✅ Универсальность под ваши потребности
Созданный для удовлетворения потребностей игр, бизнеса и работы. Поддерживаемый последними интерфейсами PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2, он предлагает гибкость для текущих вычислений и будущего. Оставайтесь на пике с этим универсальным игроком.

✅ Улучшенная энергоэффективность
Улучшение энергоэффективности на 70% по сравнению с предыдущей моделью* помогает сохранить заряд батареи при использовании компьютера. Кроме того, он поддерживает режим Modern Standby, позволяя оставаться подключенным к интернету и получать уведомления даже в режиме низкого энергопотребления.

✅ Умное тепловое решение
Тепловая метка 990 EVO помогает контролировать температуру чипа NAND. Современный тепловой алгоритм управления Samsung, в паре с Dynamic Thermal Guard, обеспечивает постоянную и надежную производительность. Держите свою производительность на высоте, а не ваш диск.

✅ Программное обеспечение Samsung Magician
Сделайте свой SSD работающим как волшебство. Оптимизационные инструменты программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают лучшую производительность SSD. Это безопасный и простой способ перенести все ваши данные для обновления SSD Samsung. Защищайте ценные данные, контролируйте состояние диска и получайте последние обновления прошивки.

✅ Приведение инноваций к жизни
Десятилетиями NAND-флэш-память Samsung приводила к революционным технологиям, которые изменили каждую часть нашей повседневной жизни. Эта технология NAND flash также обеспечивает питание наших потребительских SSD, открывая путь для следующего большого прорыва инноваций.

Основные
Объём 1 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 5.0 x2
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung Piccolo
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 600 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 5 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 4 200 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 680 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 800 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 4.9 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.06 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.38 мм
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Тип поставки RTL (Retail)
Заметили неточность в описании?
Очистить список сравнения