Вход
  • Добавить в избранное
    Для удаления товара из избранного, нажмите на ★ в правом углу
    Закрыть

SSD Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0GW

Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0GW
Нет отзывов Оставить отзыв

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, совместимость с PS5

Владелец торговой марки
Объём:
Все варианты:
Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0GW

Характеристики

Общая информация

Дата выхода на рынок 2023 г.
Описание

❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта.

✅ Энергопотребление SSD Samsung 990 Pro с радиатором составляет 5.4 Вт при чтении и записи, а в режиме Burst достигает 7.8 Вт. Это делает его отличным выбором для высокопроизводительных задач, где важна эффективность.

✅ Используемые в этом SSD микросхемы 3D TLC NAND обеспечивают надежность и долговечность, что особенно важно для хранения данных. С ресурсом записи в 600 TBW, вы можете быть уверены в его долговечности.

✅ Скорость последовательного чтения достигает впечатляющих 7 450 Мбайт/с, а скорость записи — 6 900 Мбайт/с. Это позволяет значительно ускорить загрузку приложений и игр, а также повысить общую производительность системы.

✅ Форм-фактор M.2 2280 делает установку SSD простой и удобной, а его совместимость с PS5 открывает новые горизонты для геймеров, желающих улучшить свои игровые возможности.

⚠️ Не забывайте о том, что наличие радиатора помогает поддерживать оптимальную температуру работы SSD, что особенно важно при длительных нагрузках.

✅ Средняя скорость случайного чтения составляет 1 400 000 IOps, а записи — 1 550 000 IOps, что делает этот SSD идеальным для работы с большими объемами данных и многозадачности.

✅ Аппаратное шифрование AES 256bit обеспечивает дополнительный уровень безопасности для ваших данных, что делает Samsung 990 Pro не только быстрым, но и надежным решением для хранения информации.

Основные

Объём 2 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 1200 TBW

Технические характеристики

DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 1024 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 450 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 1 400 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 5.4 Вт (режим Burst 7.8 Вт)
Энергопотребление (ожидание) 0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 8.2 мм
Охлаждение
Тип охлаждения радиатор
Подсветка
Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (в коробке)
Заметили неточность в описании?
Очистить список сравнения