1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея.
Подробную информацию о продавцах и ценах с оплатой частями смотрите на странице предложений продавцов с учетом условий доставки
письмо на почту и
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2021 г. |
Основные | |
| Объём | 1 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Elpis |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
| DRAM-буфер | |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 7 000 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 5 100 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 1 000 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 850 000 IOps |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
Комплектация | |
| Тип поставки | OEM/Bulk (без коробки) |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.