256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 МБайт/с, случайный доступ: 500000/600000 IOps, SLC-кэш
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 МБайт/с, случайный доступ: 500000/600000 IOps, SLC-кэш