512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2), контроллер Samsung Polaris V2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1800 МБайт/с, случайный доступ: 270000/420000 IOps
Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея.
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2017 г. |
Основные | |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2) |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Polaris V2 |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 3 000 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 800 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 270 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 420 000 IOps |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Охлаждение | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.