256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1150 МБайт/с, случайный доступ: 360000/280000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1150 МБайт/с, случайный доступ: 360000/280000 IOps