256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/1400 МБайт/с, случайный доступ: 330000/280000 IOps
Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея.
Характеристики
Основные | |
| Объём | 256 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 (2280) |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND (48-слойная) |
| Контроллер | Samsung Polaris |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
| Аппаратное шифрование | |
| Скорость последовательного чтения | 3 100 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 400 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 330 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 280 000 IOps |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.