512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/2600 МБайт/с
Характеристики
Основные
| |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 256 TBW |
Технические характеристики
| |
| Аппаратное шифрование | |
| Скорость последовательного чтения | 3 400 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2 600 Мбайт/с |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Толщина | 3.8 мм |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
Комплектация
| |
| Тип поставки | RTL (Retail) |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.