512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Toshiba TC58NCP090GSD, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1050 МБайт/с
Тошиба Корпорейшн. Япония, 1-1, Шибаура 1-Темэ, Минато-ку, Токио 105-8001.
Характеристики
Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2018 г. |
Основные | |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Toshiba TC58NCP090GSD |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
| Аппаратное шифрование | |
| Скорость последовательного чтения | 3 000 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 050 Мбайт/с |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 4.3 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.03 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Толщина | 2.23 мм |
| Охлаждение | |
Вышеприведенная информация получена из открытых источников, в том числе с официальных сайтов и из каталогов производителей.
При получении заказа ОБЯЗАТЕЛЬНО обращайте внимание на важные для вас параметры и характеристики приобретаемого товара.
В случае выявления несовпадений в описании товара вы можете обратиться за консультацией и помощью в нашу службу поддержки.
Все опубликованные в данном каталоге материалы являются собственностью ООО «Онлайнер», любая публикация или копирование (полное или частичное) без предварительного согласия запрещены.